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消息稱英偉達正盡快認證三星的AI內(nèi)存芯片

2024年11月25日 07:03  CCTIME飛象網(wǎng)  

據(jù)最新消息,英偉達CEO黃仁勛表示,英偉達正在盡快認證三星的AI內(nèi)存芯片,評估三星電子的8層堆疊和12層堆疊HBM3E內(nèi)存。此外,還有消息稱,OpenAI正與三星電子洽談合作,有望在Galaxy手機中搭載多項AI功能。

另據(jù)報道,萊迪思半導體正在考慮全盤收購英特爾旗下可編程芯片業(yè)務(wù)Altera,這可能會使得英特爾出售該子公司少數(shù)股權(quán)的計劃變得復(fù)雜。

黃仁勛:正在盡快認證三星AI內(nèi)存芯片

日前,英偉達CEO黃仁勛透露,英偉達正在盡快對三星電子的人工智能內(nèi)存芯片進行認證。

在接受媒體采訪時,黃仁勛表示,英偉達正在評估三星電子的8層堆疊和12層堆疊HBM3E內(nèi)存芯片,這些芯片旨在增強人工智能處理能力。

10月下旬,三星電子暗示其HBM(高帶寬存儲)芯片已獲英偉達質(zhì)量測試重大進展。但黃仁勛在本周早些時候與分析師的財報后電話會議上提到一些主要合作伙伴時,并未提及三星。

三星電子此前暗示,有可能在近期向人工智能巨頭英偉達提供先進的高帶寬存儲器(HBM)。三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁Kim Jae-june在第三季度財報公布后召開的電話會議上表示:“目前,我們正在量產(chǎn)8層和12層HBM3E產(chǎn)品!彼f,該公司在滿足“主要客戶”的質(zhì)量測試要求方面取得了“有意義的進展”。該客戶指的應(yīng)該就是英偉達。

三星電子表示:“我們正在向多個客戶擴大8層和12層HBM3E芯片的銷售。我們正在努力改進我們的HBM3E,以符合一家大客戶的下一代GPU計劃!比请娮舆表示,正在開發(fā)第6代HBM4產(chǎn)品,計劃從明年下半年開始批量生產(chǎn)。

編 輯:高靖宇
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